반도체 분야에서의 실리콘 카바이드의 응용

반도체 분야에서의 실리콘 카바이드의 응용
SiC 1차원 나노소재는 고유한 미세 형태와 결정 구조로 인해 더욱 독특한 우수한 특성과 더 넓은 응용 전망을 가지고 있습니다. 이들은 일반적으로 3세대 와이드 밴드갭 반도체 소재의 중요한 구성 요소로 간주됩니다. 3
세대 반도체 소재는 와이드 밴드갭 반도체 소재로 고온 반도체 소재로도 알려져 있으며, 주로 실리콘 카바이드, 질화갈륨, 질화알루미늄, 산화아연, 다이아몬드 등을 포함합니다. 이 유형의 소재는 와이드 밴드갭 폭, 높은 열전도도, 높은 파괴 전기장, 높은 방사선 저항성, 높은 전자 포화율 등의 특성을 가지고 있으며 고온, 고주파, 방사선 저항성 및 고전력 소자의 생산에 적합합니다. 3세대 반도체 소재는 뛰어난 특성을 가지고 있어 미래에 매우 광범위한 응용 전망을 가지고 있습니다.